计划到此为止

结果事情并没有按照计划进行NAND闪存芯片制造商．首当其冲的受害者之一就是放松问题。保持所有这些层的垂直对齐是非常具有挑战性的。

对于一个48单元的堆叠，垂直堆叠的允许公差大约是1度，并且随着层数的增加，情况会变得更糟。这引起了人们对3D NAND整个概念的重新思考。

芯片制造商已经迁移到一种方法，在一个芯片上创建多个48或64层堆叠块，将每个堆叠块放在其他堆叠块的上面，但使用一个粗略大小的垂直互连访问连接堆叠块。这允许对层的垂直对齐有更大的容忍度。

转换到3D NAND的时间比计划的要长，这导致了模具的短缺，因为工厂已经进行了转换到新工艺。

最终的结果是，在过去的几个月里，我们已经有了64gb死亡和1tb死亡的公告，反映了这两种方法。1tb的芯片可能会进一步堆叠，而4tb甚至8tb的单个芯片可能会在12个月左右的时间内完成。与这些设备,100tb 2.5英寸ssd硬盘在2016年9月的闪存峰会上宣布的，在2018年看起来非常真实。

对齐问题和技术方法的变化对市场产生了重大影响。转换到3D NAND的时间比计划的要长，导致缺口的死因为工厂已经采用了新工艺。

超过偏差

对齐并不是阻碍3D发展的唯一问题。显然，三级单元(薄层色谱)闪光是NAND闪存的吸引点内存容量是原来的3倍。

NAND闪存设备随着时间的推移，它们的性质是准静态的，其结果是在电池中可检测到的电压水平的分离缩小，使电池状态的电压彼此更接近。这增加了误读率，而且确实如此在薄层色谱中更明显，有八种不同的状态，相比之下，原来的单级单元闪光只有两种状态。

这种缩减需要对策，包括随时间重新设置阈值，扩展错误检测/纠正代码，并添加非常复杂的带有阈值和时间调整的重试过程。这是一门复杂的科学(和数学)，要把它做好，然后在经济上加以实施，是有挑战的。努力的积极结果已经主要增加了模具产量和写入耐久性。

尽管如此，我们将看到ssd的系列方法，其中具有基本相同结构的系列成员将根据读/写速度、写耐久性和温度范围进行区分。范围也很重要，例如，每天的驱动器写从最少到最多的扩展多达10倍。

处理延迟的结果是减少了flash死可用性，因为NAND闪存晶圆厂被闲置以实现转换。这在2016年下半年造成了严重冲击，SSD的价格上涨了10%，而且这种趋势还在继续。由于人们意识到企业硬盘驱动器正在成为一个过时的概念，对ssd的需求迅速增加，这使问题变得更加复杂。

三星的失败，召回和试图更换Galaxy Note，导致超过1亿的死亡退出市场，进一步增加了压力。

救援正在接近

2017年下半年将带来缓解。堆叠64层模具的技术问题似乎已经过去了，到今年年中，单堆栈模具将批量出货。额外的工厂能力将从动态RAM和也没有flash晶圆厂重新使用3D NAND，并从新的工厂产能。到2017年年底，价格应该会回落到危机前的水平甚至更低;2018年，我们应该会看到ssd接近hdd的价格平价。

这对硬盘市场意味着什么是值得讨论的。面对2015年和2016年的需求下降，HDD的生产能力已经大幅下降，所以HDD并不能很好地夺回市场份额。另外，容量大需要的hdd不太适合主存使用，是相对较慢的单一写入技术产品——尤其是在写入时——完全不适合操作系统驱动，不适合pc和许多服务器使用。

这个行业看起来是这样的迈向全闪光的未来从2018年开始，30 TB到100 TB的大容量驱动器是二级存储的最佳位置。

期待一些关于使用的争论quad-level细胞(QLC)NAND闪存存储而不是即将普及的TLC。基于对TLC的物理和数据动力学的所有研究投资，将相同的思维过程应用到QLC，有16种可能的细胞状态，似乎是一个合乎逻辑的后续，指向进一步的成本削减和容量增加。

无处不在、速度极快的存储技术的出现将深刻地改变IT行业。服务器将做得更多，例如，当驱动器与1000万IOPS或以上(在闪存峰会上宣布的)将彻底改变超融合产品。