QLC缺点

虽然QLC技术是相对较新的，它显著地提高了容量，它可能是最后一个通过增加单元能存储的比特．这是因为以这种方式增加容量有几个问题。

第一个问题与可靠性有关。随着比特被添加到存储单元中，要确定它们的价值就变得越来越困难。在多个写周期的过程中细胞开始降解，使得精确读取位值变得更加困难。错误修正可能会有所帮助，但单元格最终会退化到无法读取内容的地步。

另一个问题是，尽管增加比特数会增加存储媒体的总容量，但也会使其变慢。考虑每一种NAND闪存技术擦除一个单元所需要的时间:在SLC驱动器上，单元擦除大约需要1.5到2毫秒。MLC体系结构将擦除时间增加到3毫秒。TLC细胞的细胞清除时间约为5毫秒。虽然QLC没有确切的数据，但擦除时间估计超过6毫秒。

但是给细胞添加比特的最大问题是这样做会导致细胞磨损更快．SLC驱动器可以忍受大约100,000个程序/擦除周期。对于MLC驱动器，这个数字骤降到每个电池约3000次。TLC驱动器每个细胞只有大约1000个写周期，根据一些估计，aQLC开车可能每个细胞只能承受大约100个写周期。

耐久性的下降TLC和QLC NAND闪存技术可能使它们看起来最适合作为高性能归档系统使用。制造商似乎也可以通过在每个单元上增加几个比特来创建“一次写多读多”的闪存。但是，即使是在容量方面，增加比特的回报也在递减。

MLC使SLC的容量加倍。TLC比MLC增加了约50%的容量。与TLC相比，QLC仅获得33%的容量增益．容量增益会随着比特数的增加而继续下降。

问题仍然是:如果细胞只能使用QLC驱动器，为什么还会有人使用QLC驱动器忍受100次写作周期？简单的回答是，尽管单元格在100个写周期后失效，但整个驱动器的失效速度并不快。存储供应商采用了许多技巧来延长他们的QLC驱动器的寿命，包括损耗均衡和过度供应。

在未来，存储供应商可能会找到其他技术提高NAND的容量闪存技术。在短期内，希望供应商努力改进3D NAND，并增加存储架构中的层数。一些供应商已经开始尝试逻辑组件的堆叠。通过堆叠这些组件，可以在模具上为额外的存储单元提供更多的空间。