测试你对3D NAND闪存技术的掌握程度

根据研究与市场部的“2018-2020年全球NAND闪存市场”报告，2018年至2022年，全球NAND闪存市场预计将以15.13%的复合年增长率增长。向3D NAND闪存技术的转变预计将成为这一增长的关键驱动力。

3D NAND是一种非易失性闪存，是为了克服平面NAND的密度问题而开发的2 d NAND．NAND是两种非易失性闪存之一;也没有闪存是另一种类型。

3D NAND可用于与平面NAND相同的应用，每千兆字节的成本更低。3D NAND通常使用多级单元(MLC) NAND闪存，每个单元存储2位，或三级单元(TLC) NAND闪存，每个单元存储3位。四电平电池(QLC)与非每个单元存储4位，并开始用于3D NAND。

NAND闪存的历史经验供应短缺和供应过剩的周期性时期每年持续两年左右。在芯片短缺期间，芯片价格飙升，然后当制造商将利润投资于新晶圆厂并增加额外产量时，价格下跌，导致供应过剩。2018年末是一段供过于求的时期，导致NAND闪存价格下跌。

3D NAND有其优缺点，尤其是QLC 3D NAND。了解它们是很重要的，以便在什么时候3D NAND闪存技术适合您的组织的应用程序以及什么时候使用其他内存技术方面做出正确的决定。

通过下面的测试，看看你对NAND和3D NAND闪存的了解如何。