NAND闪存技术只是个开始

固态故事的结局？几乎没有

因为flash很快就发展成了一种辅助工具服务器DRAM的缓存，有一件事变得很清楚：在一场使用DRAM的比赛中，flash在数据中的表现与flash一样出色，但它只获得了远远的第二名。所以，如果说闪存比硬盘快得多，但与DRAM相比又笨重，那么一定有一种存储技术可以将两者的差异分割开来，对吗？

现在有一个。事实上，有几个候选人填补了这一空白，所有这些人都已经存在了一段时间——但他们大多是研发实验室的囚犯，更像是科学博览会项目而不是产品。

NAND闪存技术的采用速度远远快于存储技术领域的任何其他技术。

最近两个关键的事态发展清楚地表明固态寿命超过闪光这不仅仅是更快、更大、更耐用的问题。美光与英特尔的合作是最近才开始的3D XPoint技术的推出以及IBM的调整到相变存储器(PCM)证明，虽然NAND闪存技术引领了固态时代，但它只是即将到来的产品的先兆，这些产品将挑战传统的内存和存储概念。

这两项技术的惊人之处在于，这些公司演示的技术比目前使用的NAND闪存技术快了数十万倍，可以使用10亿年，并且可以处理数亿次写入。这些数字可能有点夸张，但你明白了。

就像我们所知道的那样，延迟结束了

来自英特尔(Intel)和美光(Micron)的3D XPoint开发人员表示，它会绕着NAND闪存跑圈——大约每一个NAND完成1000个循环．他们声称其耐用性与NAND闪存相同——是后者的1000倍。

虽然NAND闪存技术开创了固态时代，但它只是即将到来的产品的先兆，这些产品将挑战传统的内存和存储概念。

就IBM的Brainics而言，他们在PCM方面取得了突破，找到了一种将三位数据塞进一个单元的方法——就像NAND闪存大师们在提高容量、降低成本和让所有人都能访问闪存方面所做的那样。IBM并不吹嘘XPoint的速度和feed，但它确实表示PCM的读写速度是NAND闪存的数百倍。IBM引用“1000万次写入周期”作为其预期的耐久性。

无论从哪个角度看，这些新技术都让NAND闪存技术看起来像罗杰·班尼斯特（Roger Bannister）家伙谁打破了四分钟一英里的纪录：他那个时代跑得很快，但比乌塞恩·博尔特慢。

新筹码催生新术语

当我们中的许多人仍在努力提高自己时，要掌握如此惊人的数据有点难NAND闪存性能进入视野。但这种新材料与我们今天使用的固态材料有着根本性的不同，因为它几乎与内存和持久存储一样接近。这种区别为这些新兴技术带来了一个新名词：内存存储类．有点奇怪的术语，但它似乎是一个相当准确和恰当的描述。

如果NAND闪存技术还没有满足你的应用对性能的渴求，请耐心等待，帮助即将到来。

的侵占存储器的地盘真正开始是在几年前，当第一个基于内存的固态产品出现时。维京人的技术DIMM-slot闪光这是一款有趣的产品，有助于弥合内存和存储之间的概念鸿沟，但它实际上是一款带有SATA接口的闪存，从DIMM插槽中获取能量。Diablo Technologies的内存通道存储更进一步，通过服务器处理器的内存通道提供对闪存的访问。这项技术——NVDIMM或非易失性DIMM——在镜像服务器内存中有一个即时应用程序，它允许在DRAM断电时几乎即时恢复缓存的数据和应用程序。

分层内存和新的存储模型

固态硬盘正在做硬盘驱动器永远做不到的事情——至少不能以可接受的速度进行——而IBM和Intel/Micron等公司的开发也承诺了这一点擦除存储资源和内存之间的线. 鉴于他们的表现，这些新兴技术将允许内存的分层和扩展——也许不是以DRAM的速度，也不是以当前系统内存模块的价格。这将在内存和类似内存的资源中投入更多的处理，减少服务器从持久性存储中获取数据的次数。

奇怪的是，固态硬盘角色的扩大可能对硬盘制造商来说是一种福音。毕竟，所有这些数据都必须放在某个地方，尽管最新的高容量NAND闪存设备可能会填补这一空缺，但宽敞的硬盘可以以成本的一小部分完成这一任务。

这些新的固态发展对你意味着什么？如果您当前的存储配置与服务器和网络性能保持同步（或超过），那么这些发展就毫无意义。但是，如果NAND闪存技术还没有满足你的应用程序对性能的渴求，请耐心等待，帮助就在眼前。