企业闪存加速采用

丹尼尔·科布

Daniel Cobb, Dell EMC合伙人，Dell EMC全球技术战略副总裁:我们将继续看到flash的加速应用，甚至超出预期。更多的3 d与非晶圆厂正在上线，他们已经达到了一个高度，他们有很好的工艺产量行业flash短缺我们已经经历了过渡时期，我们将看到flash的采用继续加速。

胡吉田，日立数据系统首席技术官:闪存将成为占主导地位的存储介质，这使我们能够减少对优化和管理存储的关注。您不必担心这是第一层还是第二层，也不必担心哪些应用程序应该在flash上运行。都是闪光。转折点已经到来。它不再是一个价格或性能问题. flash的路线图甚至更好。随着3D和TLC等新技术的出现，闪存容量将大幅增加。业界表示，到2020年，我们将获得128 TB闪存模块，这意味着价格将大幅下降。

胡吉田

更多的存储供应商和公司，如谷歌和Facebook，将开始构建自己的闪存模块，因为他们意识到他们可以添加的好处。他们可以在闪存模块中加入更多的智能，使闪存更高效，因为它是可编程的。它们可以添加像压缩这样的函数，而不影响控制器上游的性能。我们可以做的另一件事，就是在闪存盘里编程，把闪存盘撕碎。当我们得到一个删除命令时，我们只是重新格式化所有的单元格——甚至是控制器看不到的单元格。这对于隐私要求很重要。

Vincent Hsu，IBM研究员，IBM存储副总裁兼首席技术官：在短期内，3D技术将被积极采用薄层色谱．我们已经看到有人在(四层单元)QLC上工作，每个单元4位。现在时间还很早。但我认为你会在2017年底看到这一切。由于密度的提高，我们看到flash接管了更多的工作负载。它不再只是在线事务处理(OLTP)。我们看到有人要全flash文件和对象存储我认为，2017年我们将看到更多这类请求。

途中面料上的NVMe和NVMe

科布,戴尔EMC:我们将停止谈论NVMe和NVMe面料，并在2017年开始发货。我终于看到一个NVMe驱动器的丰富生态系统把它的位置放在SAS协议在仓库里存放了这么久。而NVMe over Fabrics将代表主机与存储设备对话的一种新方式。该行业不会大规模转向这些新技术，但会开始向有利的领域移动。我们将开始看到一些用例，在这些用例中，尽可能低的延迟或尽可能高的吞吐量将找到愿意的客户。这可能是通过外部存储，内部或达斯[数字连接存储]服务器中的存储，以及hyper-converged基础设施．

Matt Kixmoeller, Pure Storage产品副总裁:占主导地位的闪存技术将会改变SATA和SAS驱动器NVMe驱动，并开启下一代性能和效率。现在，我们开始看到双端口NVMe驱动器的可用性，使其成为企业全闪存阵列的可行性。对于全闪存阵列架构来说，这将是一个相当大的转变。这不是你能轻易改造的东西。这需要硬件设计和软件架构的改进，才能最大限度地利用NVMe。第一波将是NVMe设备，并在全flash阵列中使用NVMe。

下一波是结构转换上的NVMe。这一个非常令人兴奋，因为它开始改变DAS和SAN存储之间的关系。如果你看看许多新的学校应用程序——Hadoop、Spark、Cassandra和所有NoSQL数据库——其中许多都是围绕服务器DAS存储模型构建的。它们通常部署在带有本地连接的白盒服务器上NVMe打破了网络存储与本地DAS具有相同性能的障碍。

J梅茨

思科系统公司首席技术官办公室，存储网络和解决方案研发工程师J Metz:NVMe和NVMe over fabric (NVMe- of)设备将开始出现，但不会真正撼动存储架构。最初的部署将复制现有的特性和功能以获得性能优势，但它们不会真正改变游戏——目前还不会。真正有想象力的解决方案要到2018年才会大规模触及消费者的舒适区，但2017年，早期采用者将从初创公司中找到一些有趣的专有解决方案。

(梅茨指出，他的预测是个人的，并不代表他的雇主。)

马丁·斯卡根，首席技术官数据中心基础设施部，博科通信系统:我们将看到全闪存阵列突破1000万IOPS的障碍，NVMe将为这一进步做出贡献。NVMe实际上是Flash 2.0。当我们几年前开始研究闪电时，有一种闪电。不同类型的游戏的性能差别并不大，你需要做很多事情才能让它发挥作用。然后它变得更加商品化，并真正推动了全闪存阵列市场。

马丁斯卡根

但NVMe是一场革命其中，如果您拥有合适的体系结构，您可以在性能上超越现有闪存。这不仅仅是用NVMe闪存替换现有SATA闪存。对于如何在控制器上处理闪存本身，有很多含义。也许一两个传统的供应商可以通过一些工作实现这一目标，但从软件和硬件的角度来看，这都是一件昂贵的事情。小一点的新人有更好的机会成功，因为他们是从零开始的。他们没有任何必须遵循的现有体系结构，而且他们的安装基数非常小。

NVMe可以让客户降低闪存价格。如果您购买了大量闪存，最好不要从购买阵列的供应商处购买闪存。NVMe实现了这一点即插即用设备因为这是一个更标准化的芯片组。

徐，IBM：新协议将会是一个巨大的焦点利用flash的性能优势．世界将会有多种协议和接口。一种技术无法满足所有的工作负载。NVMe将在2017年更加普及，展望未来，我们将看到行业开始投资于成熟的NVMe，而不是fabric。OpenCAPI允许更好的优化以减少延迟。IBM Power Systems开发了CAPI[相干加速器处理器接口]几年前，我们正在使其成为一个开放标准。它确保您的PCIe总线和处理器是一致的。它在存储层削减了数万条指令，并提供了更低的延迟。OpenCAPI声称在PCIe接口上具有10倍的性能。

企业闪存存储的新记忆技术

科布,戴尔EMC:新的存储媒体将开始悄悄进入。我们最终会得到一个3D XPoint来自美光和英特尔。它不如DRAM快，但比NAND快。它的运行时间大约是几百纳秒。由于NVMe的低开销和高性能，它将成为展示NVMe架构优势的绝佳工具。它还将成为一种廉价的存储设备。从计算机行业出现一种新的存储介质到现在大概已经有20年了。

我们将停止谈论NVMe和NVMe面料，并在2017年开始发货。

我们也会看到替代媒体，比如Z-NAND从三星——[其]对3D XPoint的响应——填补了DRAM和flash之间的空白。三星并没有发明一种新型媒体，而是表示他们实际上可以继续提高NAND的速度。业界一直专注于降低NAND的价格和提高其容量，但并没有专注于提高其速度。三星在技术上的做法值得关注，因为每当一家主要的存储芯片制造商在某件事情上押下赌注时，他们都会大举投入。

米兰·谢蒂，惠普企业数据中心基础设施集团首席技术官:持久内存将开始出现在计算和存储产品中。我们会看到动态随机存取记忆体在以前的磁盘形状因子中引入了电池支持的持久内存。人们将首先开始采用电池dimm[双内联内存模块]，随着不同的持久内存技术变得可用，人们也将开始采用[它们]。就像消费行业用闪电把经济拉下来一样物联网[物联网]行业正在为持久性内存做准备。因为设备中越来越多的传感器需要本地内存，我们将看到……持久性内存开始变得更便宜。这将是一个多年的旅程。

梅斯,思科:的进步持久存储器/存储类内存将改变应用程序和操作系统与存储交互的本质。分层解决方案将崩溃。今天的一级将是零级。今天的第二梯队将会存档。延迟和计算瓶颈的变化将改变访问数据的方式和处理数据所需的时间。由于增加了延迟和基础设施膨胀，一些系统——比如一些缓存机制——将被完全删除。

马克·布雷格曼，NetApp首席技术官:从长远来看，我们将看到下一代存储级存储器的引入。第一波将在存储设备中使用新的高性能持久内存。但越来越没有理由把它包装得像仓库。我认为我们将会看到新的系统架构出现，它可能看起来像一个拥有非常非常大的持久内存的系统，而不是附加到存储上的较小内存。因此，我们将开始看到具有大规模持久内存的新系统技术的发展。对附加存储的需求也会有所不同对于存档的需求会比我们今天讨论的高性能二级存储或一级存储的需求更多。但在2017年，这一切都不会发生。在接下来的12个月里，我们可能会看到新公司推出新的架构。那将是这波浪潮的前沿。