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Everspin技术公司推出256mb ST-MRAM存储
内存通道存储供应商Everspin销售的ST-MRAM设备具有字节寻址内存通道存储设计为具有可预测延迟的写缓存。
Everspin Technologies公司生产高密度产品磁阻随机存取存储器该公司已经开始向服务器、SSD和存储设备供应商取样其256兆芯片。
的MRAM 256兆(Mb)设备采用Everspin专有的垂直磁隧道结自旋扭矩技术制造。该技术是指对每个位上的电流进行门控的方法。Everspin在垂直平面上堆叠芯片，以增加单元密度，允许MRAM作为持久存储器。
Everspin Technologies将其产品称为自旋扭矩MRAM (ST-MRAM)。该供应商表示，之前的ST-MRAM迭代版(64mb芯片)集成在Aupera的M.2闪卡、Mangstor Inc.的nvme兼容闪卡和Buffalo Americas Inc.的ssd中。
Everspin ST-MRAM是用于具有可预测延迟的应用程序的高性能写缓存。与ddr3兼容的设备被设计成通过缓冲写入并在缓冲区可以接收额外写入时通知主机处理器来保护正在运行的数据。数据随后被从MRAM写入闪存写缓冲区。
ST-MRAM是DRAM的替代品
Everspin科技公司成立于2008年，是由飞思卡尔半导体公司分拆出来的，飞思卡尔是从摩托罗拉公司分拆出来的。钱德勒,亚利桑那州。基于Everspin的集成磁存储在其互补金属氧化物半导体制造过程。存储器使用磁性隧道结装置直接调用系统存储器。
首席执行官菲利普LoPresti说Everspin的MRAM是可字节寻址的持久存储通道存储器在DRAM接近其理论伸缩极限时提供了一种替代方案。
LoPresti表示，IBM演示了Everspin Technologies的256mb ST-MRAM技术，将其嵌入到运行IBM ConTutto可配置内存系统的内存设备中。他说，其他oem计划测试Everspin的256mb存储卡。
钱德勒,亚利桑那州。Everspin在其CMOS制造过程中集成了磁存储。
他说:“我们创建了基于ddr3的自旋扭矩部件系列，以解决企业级存储设备、带有RAID的服务器附属存储和部署在企业中的ssd。”“这是所有人的大问题这些技术如果电源故障，写缓存必须受到保护，但它必须能够接受具有可预测延迟的高容量写操作。
“我们的ST-MRAM以相同的带宽速度运行动态随机存取记忆体，但它立即是非易失性的。一旦写入数据，它就会受到保护。你不需要固件来监控电源，也不需要占用整个背板的庞大超级电容器。”
Everspin Technologies能否降低制造成本，以促进应用?
艾伦Niebel他说，Everspin将生产转移到GlobalFoundries的300毫米MRAM制造，以提高ST-MRAM卡的生产水平和可靠性。
“两年前，他们推出了64mb ST-MRAM，但由于不能很好地生产，它停滞了。通过300毫米的生产，它们从90纳米迁移到40纳米。256mb ST-MRAM为他们提供了更多的表达方式成一个NVDIMM或用于企业存储的其他功能，”Niebel说。
位于加州洛斯加托斯的Objective Analysis半导体行业分析师吉姆·汉迪(Jim Handy)表示，早期量产给了Everspin Technologies在制造过程中降低成本的时间。
“MRAM仍然比现有的存储通道存储技术更昂贵，但它的性能明显更好，”Handy说。“问题是，谁愿意为这种行为支付额外费用?”目前，这只是相对少数的应用程序。你更有可能在RAID卡中找到他们的产品，或者被SAN制造商用来写日志。这是一个应用程序，今天有时是由电池备份[与]静态随机存取存储器．"
LoPresti表示，Everspin正在测试一款1gb ST-MRAM设备，预计将于今年晚些时候发布。
