Flash存储和NVMe over fabric

史蒂夫·麦克道尔

Steve McDowell, Moor Insights & Strategy存储和数据中心技术高级分析师:2020年不会是NVMe取代面料的一年。尽管几乎每个闪存供应商都在提供一些NVMe而不是fabric，但我们至少要到2021年才能看到主流采用NVMe。该技术太新，太复杂，而且将更多地由IT存储替换周期驱动，而不是新部署。这是一项长期举措，不会在2020年迅速解决。

Eric Burgener

IDC企业基础设施实践研究副总裁Eric Burgener:2021年至2023年，我们将看到更多NVMe-的使用TCP实现传输协议而不是其他以太网选项，如用和iWARP．NVMe超越TCP标准的成熟，以及基于该标准的产品，将有助于推动增长，特别是在尚未安装光纤通道存储网络的新部署领域。让基于TCP的NVMe如此有趣的是，它将完全基于大多数普通Linux服务器附带的行业标准硬件和软件。RoCE和iWARP需要自定义内容来支持[远程直接存储器存取] RDMA能力。NVMe通过TCP将提供大部分的业界标准封装的其他以太网传输方案的性能优势，这将是买便宜，更易于部署和维护。

胡吉田

日立Vantara副总裁兼全球CTO胡吉田:在存储控制器的前端和后端增加执行NVMe的将对传统的存储控制器瓶颈将限制实现NVMe的全部潜力。这也将影响其他软件的功能是企业存储控制器提供，如重复数据删除和压缩。这将需要新一代专为并行和闪光灯和NVMe和NVMe在面料的低延迟设计的存储控制器。

J米歇尔·梅茨

J Michel Metz, Rockport Networks现场首席技术官:新NVMe投资的时代已经接近尾声。几年前，那感觉就好像你所要做的只是说“NVMe”，每周有一个新的启动。现在，新的想法将很难要他们来，像NVMe块存储有创造性的应用数量有限。大多数缺少的部分已被找到，并会有不同的形式因素大大减少新的投资。再次，势头将向着软件转移。

持久内存升温

吉姆很方便

Jim Handy，总经理兼半导体分析师，目标分析:2020年将是非常有趣的一年，因为我们最终也将开始看到有什么用SNIA调用持久性存储器（PM）应用程序，和许多人的呼叫内存存储类或SCM。这将主要体现为英特尔的Optane DIMM，它的官方名称笨拙Optane DC持久内存模块。重要的是，当这种硬件与pm感知软件结合在一起时，将为某些软件带来非凡的速度提升，这可能会导致计算机内存配置方式的巨大变化，就像ssd重新定义了存储层次结构一样。

安迪·沃尔斯

Andy Walls, IBM fellow, IBM Flash Storage首席技术官和首席架构师:2020年将是突破性的一年，Optane dimm和存储类内存最终得到更广泛的应用。我认为NAND闪存价格下降都将逆转，我们将在2020年开始看到价格上涨。Optane和存储类的内存价格看起来会更有吸引力。我怀疑我们是否会有很多存储系统与所有的SCM一起销售，但你会开始看到像戴尔、IBM和其他大的供应商在一层存储类内存中可以提供性能改进。到2020年，这将主要是NVME SSDS.．但英特尔也支持Optane dimm，您将看到一些概念证明。像压缩和数据缩减这样的存储服务会创建大量的元数据。如果元数据能够找到类似SCM的方式，我就可以大大减少响应时间，提供更一致的响应时间，并帮助达成服务水平协议。

Coughlin汤姆

Tom Coughlin，总裁，Coughlin Associates:我们将看到第一个重要的商业广告MRAM技术的应用在嵌入式设备中。所有的铸造厂都说他们会成功。今年，我们将看到用于物联网和人工智能应用的真实产品的生产。MRAM具有很高的耐久性、高性能和低延迟。SRAM在半导体芯片上占用了很大的空间。MRAM更小，所以它在给定的空间中获得更多的内存。这也是非易失性内存，与SRAM或DRAM。这意味着我可以关闭电源，我的数据仍然存在。MRAM允许较低的功耗。这对一些嵌入式，物联网以及可能对电池或低功率运行的其他应用尤为重要。

闪存价格趋势

波哥，IDC：到2021年，基于nvme的全闪存阵列将占所有主要外部存储收入的50%以上。随着许多企业转向数据驱动的业务模型，它们通常会实现新的工作负载，这些工作负载需要比基于scsi的AFAs提供的性能更高。许多老牌的存储供应商都预见到了这一点，并推出了基于nvme的旗舰企业存储阵列版本，这些版本的定价与它们基于scsi的老阵列的定价相当或更低。

便捷，客观分析：DRAM和NAND闪存芯片继续供过于求，但尽管NAND闪存在去年年中触底，目前仍在按成本价销售，但DRAM的毛利率仍在30%左右。由于DRAM供应过剩，这一利润率在上半年将降至零。对于需要更大内存或更多存储空间的计算应用程序来说，这是一个福音。基于nand的SSD价格接近2020年剩余时间的水平，但双内联内存模块(DIMM)的价格将继续下降，直到达到每千兆字节2美元以下的价格。这两种技术的使用不会因为它们改善的可用性和较低的价格而大幅增加。这几乎从未发生过。相反，需求将继续沿着过去的轨迹增长，价格优势可能会传递给终端用户。

考夫林，Coughlin Associates的：我们将拭目以待96 -层3 d NAND闪存Flash在批量生产中，我们将看到128层Flash的介绍和可能的192层Flash的宣布。我认为128层闪光要到2021年才会大量出现。它的密度更高，因此每位成本更低。人们应该看到更便宜的闪存，但这完全取决于容量和可用性。

SSD的发展

菲尔·布林格，高级副总裁兼总经理，数据中心，西部数据：存储正变得更加工作负载优化，特别是对于顺序写入、读取密集的工作负载，如视频或物联网流。到目前为止，应用程序和操作系统一直将存储设备视为简单的随机写入、随机读取。分区存储是一个新兴的项目，其中应用程序和操作系统具有更多的智能，并与I/O设备通信，将数据按顺序写入存储块。

通过优化，可以使存储更高效、性能更高、效率更高。到2020年，分区存储将会实现——从将其构建到NVMe协议的标准活动，到多个SSD供应商提供的样品和开发级别的产品，再到来自大型云计算客户和拥有存储组件的品牌服务器厂商。分区存储类似于硬盘驱动器中的带状磁记录(SMR)。构建SMR技术的目的完全相同:按顺序编写、以读取为中心的工作负载。

波哥，IDC：使用全闪存阵列（AFAS）的开始到2020对二次存储的工作负载包括测试/开发，备份，灾难恢复和主动档案库结束起飞。虽然低等待时间一般不要求为这些类型的工作负载，例如高带宽/吞吐量，更高的存储密度，数据服务更快的执行，和更高的系统可靠性的固态存储特性仍然可以是非常有吸引力的。更广泛地使用像密集的新型固态介质四电平电池NAND闪存将使之成为可能，因为它缩小了闪存和7200转hdd之间每gb的价格差异。但它将需要新的软件算法，以确保QLC闪存媒体耐久性满足企业的要求。在早期，那些购买现成的NAND闪存并设计自己的设备的供应商将能够比现成的SSD供应商更快地满足这些企业需求和更广泛的工作负载。

珍妮特不

唐珍，副总裁，Trendfocus：在固态硬盘QLC部署将在2020年仍然有限，只有一对夫妇厂商推动这一积极。QLC产量仍有限。此外，当性能需要一击顾客不喜欢在卷到另一种技术的过渡。基于QLC-SSD的性能比其它NAND技术低得多。3D TLC仍将是显著量NAND技术在整个2020年及2021年将它仍然具有成本优势竞争技术，这是一个已知的实体已经是合格的，出货世界上大多数固态硬盘。

M.2和U.2形态的PCIe数量今年将是最高的。双端口PCIe在存储网络世界中仍然有限。这意味着SAS ssd在中短期内将继续拥有健康的生命。SAS ssd的供应商路线图仍然是可靠的。此外，性能更高的双端口PCIe解决方案的价格仍将高于基于sas的系统。当你的定价较高时，销量将保持较低水平。