为了解决目前NAND芯片的局限性，3d NAND应运而生

三维NAND闪存是新兴的一种闪存将存储单元堆叠在一起，以克服二维或平面的限制，快闪记忆体．

在这个问答环节中Marc立即，了解更多关于3 d NAND闪存技术不同厂商的架构是如何比较和对比的，以及我们何时会在市场上看到基于3-D NAND的产品。

什么是3d NAND，为什么它是必要的?

Mark Staimer: 3d NAND是NAND细胞的垂直堆叠或者细胞层——不要与垂直的芯片堆叠混淆。这是必要的，因为二维NAND正在接近模具尺寸限制和芯片密度。它正在失去动力。

在科技领域，如果你不进步，你就在死亡。目前的2d NAND技术是20nm和19nm。下一步是14纳米。通过10nm可能是困难的，因为电子泄漏增加。(三维)NAND是业界的答案．

在3-D NAND中，什么是电荷陷阱，它与浮动门技术有什么不同?

立即:电荷陷阱技术使用氮化硅薄膜来存储电子，而不是浮动栅技术经常使用的掺杂多晶硅。用外行人的术语来说，电荷陷阱闪光是通过捕获或捕获绝缘层中的电子来存储电子的。浮栅捕获或困住导体层中的电子。这些看似微小的差异在flash耐力或磨损寿命。

一般的经验法则是浮动门NAND磨损更快和/或成本高于电荷陷阱。电荷捕获需要更薄的层，通常需要更低的电压，更高的性能和更好的缩放。然而，一些供应商的材料进步已经缩小了差距。对于flash ssd的用户来说，这是一个数据弹性、性能和成本的问题。

我听说有不同类型的3d NAND？

斯塔梅尔:有多少厂商，就有多少种不同类型的3d NAND。每一款都有自己的3d NAND技术。

它们在结构上有什么不同?

斯泰默:东芝sandisk和三星目前总共拥有约75%的市场份额。这两家大型合作公司都在开发各种各样的电荷捕获闪光技术。东芝称其为3d NANDPipe-shaped钻头费用可伸缩、——缩写为P-BICS。三星称其为3d NANDTerabit细胞晶体管——缩写是“TCAT”。虽然概念相似，但它们是非常不同的合金和设计。海力士正在研究一种浮动门架构。美光公司正在研究一种基于深沟动态RAM的电荷捕获技术。

其中一个是否比其他的有任何好处，或者它们是可比性的?

斯塔梅尔:现在说这个还为时过早。这将归结为密度、每[千兆字节]的成本、弹性、可靠性等。理论上，电荷陷阱可能有一点成本优势。最终，这将取决于收益和执行。每个卖主都下了赌注。市场将会挤出赢家和输家。

你在市场上看到3D NAND闪存产品了吗?如果没有，我们什么时候可以期待它们?

Staimer:三星在2013年8月宣布3d NAND的大规模生产，并正在批量出货基于3d NAND的960-GB和480-GB V-NAND[Vertical NAND] ssd。预计其他供应商今年也会效仿。