闪存也不适用于机器人和物联网设备

NOR闪存基础知识

NOR是一种非易失性存储技术，将数据存储在存储单元中，类似于NAND内存芯片。NOR电池类似于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)，其中电压决定了电导率。NOR电池和常规MOSFET之间的主要区别是NOR电池包含两个门而不是一个:浮动门和控制门。

栅极决定电荷在电池中的储存方式。绝缘层将两个栅极隔开，隧道氧化层将浮动栅极与底层基板隔开。隧道氧化层足够薄，可以让电子进出浮栅，从而提供存储数据的机制。单元的一端与源线或地连接，另一端与位线连接，位线用于对单元进行编程。

今天的NOR内存有两种类型:并行和串行。并行NOR，两者中较大的一种，存在的时间更长，并且有更高的引脚数。它使用并行地址和数据总线，类似于静态随机存取存储器，并提供比串行NOR更高的系统吞吐量，从而导致更快的系统引导时间。

串行NOR比并行NOR更小，耗电更少，通常成本更低，但仍能提供良好的性能。许多串行NOR模块现在使用串行外设接口总线，这就是为什么它们经常被称为SPI也没有。

NOR与NAND闪存

NOR flash执行随机读操作的速度比NAND快。NOR也更可靠，耗电更少。然而，NOR在串行读取、擦除和写入数据时速度较慢，而且比NAND的生产成本更高，导致每位成本更高。NAND存储设备可以提供更大的数据存储容量，而NOR模块通常最高可达2gb。

对大多数消费者来说，NOR可能是无形的，至少在表面上是这样，但在未来一段时间内，它可能会发挥至关重要的作用。

不像快闪记忆体， NOR不使用共享连接，提供到单个内存单元的直接连接，并有足够的地址和数据线来映射整个内存区域。因此，NOR可以更快地对存储阵列中的任何位置进行随机访问。使用NAND闪存，存储单元串在一起以增加密度，导致更复杂的读操作和更长的随机访问时间。

NAND在顺序读取数据、编程和擦除数据方面更快。它还可以以比NOR更小的块写入数据，而且擦除数据的机制更有效。此外，NAND存储单元更小，密度更高，每位成本更低。但与NOR flash不同的是，NAND更容易受到位故障的影响，这就是为什么NAND必须结合诸如错误校正码．

NOR闪存使用案例

NAND闪存通常用于数据存储，NOR闪存被部署为用于代码执行的嵌入式设备。NOR flash用于工业机器人、医疗设备、科学仪器、物联网设备或便携式消费产品，如相机、可穿戴设备或移动电话。NOR也可以和NAND一起使用在智能手机和平板电脑等设备上。

NOR设备也可以嵌入到路由器、交换机或网关等网络组件中。汽车行业对NOR嵌入式设备非常感兴趣，不仅因为它们的可靠性，还因为NOR可以承受更大范围的温度，使其适用于引擎盖下和仪表板上的组件。例如，NOR适用于触摸屏、信息娱乐组件或高级驾驶员辅助系统．

作为嵌入式设备，NOR可以用作任何需要快速随机访问和高可靠性的只读应用程序的代码存储，如引导、操作系统或就地执行代码。NOR提供了快速的初始化时间，这有利于需要快速和可靠引导过程的系统。此外，存储在NOR内存芯片上的程序可以直接执行，而不需要复制到RAM中，而在NAND中这一操作要困难得多。

今天的NOR闪存市场

有几家供应商提供NOR flash模块，包括Cypress Semiconductor Corp.、Macronix International Co. Ltd.、Micron Technology Inc.和Winbond Electronics Corp.。温度范围为-40℃至105℃。该设备基于四SPI接口，工作电压为3伏特。它的价格在4.12美元到7.08美元之间，取决于购买的单位数量。

虽然很难预测NOR的未来flash技术被证明是将内存嵌入消费者移动产品等系统的最佳选择之一，汽车零部件、物联网设备等系统。快速的随机访问读取和长期的可靠性使其适合许多用例，特别是在移动性和物联网不断扩展的情况下。对大多数消费者来说，NOR可能是无形的，至少在表面上是这样，但在未来一段时间内，它可能会发挥至关重要的作用。