写耐力

写耐力是程序/擦除的数量（P / E循环）可以在存储介质变得不可靠之前应用于闪存块。

NAND Flash.耗尽因为隔离的氧化物层浮动盖茨在重复的P / E循环之后，在闪存芯片中受到损害。浮动门很重要，因为它们存储指示每个状态的电荷少量在闪存单元中。例如，在单级单元闪存中（SLC.），每个位是“0”或“1”当绝缘层持续足够损坏时，位电池可能不会保留右电荷。“1S”可能成为“0”，并且存储介质上的数据变得损坏。

通过估计使用闪存介质的频率和彻底来计算写入耐用性。一些制造商根据每天写入/删除的任意数量的数据提供了对寿命的估计，但许多供应商只是提供平均故障（MTTF）估计，而无需规定它们如何估计。Sandisk提出了一种称为Longterm数据耐久性（LDE）的写入耐用性的行业指标。设定一年的数据保留期的度量基于预先确定的使用模式，假设数据同样地写在驱动器的寿命上。