内存(dual in-line memory module)
内存(dual in-line memory module, dual in-line memory module)是一种本机为64位的计算机内存，可以实现快速的数据传输。内存是一种包含一个或多个随机访问内存(内存)小电路板上的芯片，用引脚将它连接到计算机主板上。内存将每个数据位存储在单独的内存单元中。内存使用64位的数据路径，因为在个人计算机中使用的处理器有64位的数据宽度。内存条通常用于台式电脑、笔记本电脑、打印机和其他设备。
一个SIMM(单个内联内存模块)通常有32位数据位(36位计数)奇偶校验位)路径到计算机，需要一个72针连接器。用于同步动态RAM (更快)芯片，它有一个64数据位连接到计算机，simm必须安装在联机对，因为每个支持32位路径。可选配单根DIMM。最初，内存有一个168针连接器，以支持64位数据传输。
为更快的动态随机存取存储器(动态随机存取记忆体)被开发出来，DIMM电路板也随之进化。现代内存基于双数据速率第四代(DDR4) SDRAM芯片使用288针连接器连接到计算机主板，以提高数据吞吐量。作为时钟速度随着RAM芯片数量的增加，64位路径处理的数据量也在增加。
内存的另一个进化是使用散热片或直接连接到内存上的结构。在典型的8gb或16gb内存中，芯片密度的增加，以及时钟速度的增加，导致了热量的增加。更糟糕的是，基于DDR4 RAM芯片的内存条容量可达64gb。
内存条上的散热结构有助于散热，使热量进入机箱，远离主板和CPU。
类型的DIMM
最常见的标准内存条，典型长度为5.5英寸，高度为1.18英寸，有:
- 无缓冲的dimm (UDIMMs)——主要用于台式机和笔记本电脑。尽管udimm运行速度更快，成本更低，但它不如注册内存稳定。命令直接从位于CPU中的内存控制器传递到内存模块。
- 完全缓冲容量(FB-DIMMs)—通常用于服务器、工作站等大容量系统的主存。FB-DIMMs使用先进的内存缓冲(AMB)芯片来提高可靠性，保持信号的完整性，并改进检测错误的方法来减少软错误．AMB总线分为14位读总线和10位写总线。拥有专用的读/写总线意味着读和写可以同时进行，从而提高性能。
- 注册dimm (RDIMMs)——也被称为缓冲内存，rdimm通常用于服务器和其他需要健壮性和稳定性的应用程序。rdimm具有板载内存寄存器的特点，这些寄存器位于内存和内存控制器之间。内存控制器缓冲命令、寻址和时钟循环，并将指令指向专用的内存寄存器，而不是直接访问DRAM。因此，指令可能会多花一个CPU周期。然而，缓冲减少了CPU内存控制器的压力。
- Load-reduced dimm (LR-DIMMs)—使用隔离内存缓冲区(iMB)技术，缓冲数据和地址通道，减少内存控制器的负载。iMB芯片也缓冲数据信号，不像rdimm上的寄存器，它只缓冲命令、寻址和时钟周期。iMB芯片隔离了所有的电负载，包括内存控制器上的DRAM芯片的数据信号。因此，内存控制器只能看到iMB，而不能看到DRAM芯片。然后内存缓冲区处理所有对DRAM芯片的读和写，提高容量和速度。
- SO-DIMM—标准的内存是长约5.5英寸的长条形棒，而外形小巧的双内联内存模块(SO-DIMM)的尺寸只有普通内存的一半，只有2.74英寸长。这两种内存条通常都是1.2英寸高，但都是采用非常低的格式(VLP)，只有0.8英寸高。SO-DIMM主要用于笔记本电脑和平板电脑等便携式计算设备。与标准内存不同的是，DDR4 SO-DIMM有260个引脚，而DRR4 DIMM有288个引脚。标准内存条用于pc和服务器。VLP内存是为了满足空间需求而开发的刀片服务器．
DIMM与SIMM
DIMM与SIMM的主要区别如下:
- DIMM是一种双面SIMM。SIMM可以直连安装，DIMM不依赖侧面。由于DIMM在单板的两侧有独立的触点，因此提供的数据量是SIMM的两倍。
- SIMM最多可以有一个32位的数据传输通道。相反，DIMM支持64位通道。
- SIMM的功耗为5伏，内存为3.3伏。
- SIMM模块最多可以存储64位。相反，内存最大可达1gb。
- SIMM是过时的技术。使用内存主要是因为它的性能优于SIMM。
内存的未来
在2018年,电平标准组织公布了DDR5的规格，一些制造商表示，他们将在2019年底发布商用DDR5。DDR5的数据传输速率是DDR4 (25gbs)的两倍，功耗比DDR4低。
然而，DDR5并不是即将到来的唯一内存开发类型。JEDEC也在为非易失性内存(NVDIMM)，以便在停电时保存数据。NVDIMMs集成非易失性NAND闪存单内存子系统上有DRAM和专用备份电源。
英特尔和美光发布3 d XPoint在2015年7月，这是几十年来第一个新的存储架构。该芯片最终在两个固态硬盘(ssd)和内存条在2019年5月发射，比原定发射时间晚了两年。
2015年，一些分析师预测，在这些芯片推出后的头两年，英特尔将获得高达20亿美元的收入。然而，他们表示，现在更现实的数字是大约20万美元，因为内存价格一直在暴跌。
美光正在扩大下一代应用的下一代存储器的生产能力。目前，三星电子正在以16gb DDR4芯片为基础，准备用于客户系统的32gb内存模块和用于服务器的64gb内存。
