大多数3D NAND FLASH产品是否会继续进行TLC？

目前，我希望几乎所有的3D NAND闪存都是基于三级单元（TLC）闪光灯。有很多原因，但大多数人都归结为供应商的目标和可用技术。

闪存存储比旋转媒体存储更快，但遭受容量限制。由于可以放置在闪存管芯上的存储器单元数量的限制，因此这会影响设备的整体存储容量。

闪存供应商使用了两种不同的技术来增加容量:3D NAND闪存和使用三级单元。的3D NAND闪存格式基于这个想法存储器单元可以垂直堆叠。这允许闪存设备能力呈指数级，而没有制造商必须增加模具的尺寸。

TLC闪存通过在每个单元中存储额外的数据位来增加容量。单级单元闪存每个单元存储一个数据位，而多级单元闪存每个单元存储两个数据位。TLC闪存每个单元可存储3位。

如果存储供应商的主要目标是增加的能力在闪存方面，因此降低每千兆字节的成本，利用两者是有意义的TLC闪光和3D NAND闪存。同时使用这两种技术可以提高闪存容量，超过使用一种或另一种的可能。

尽管flash厂商目前在他们的3D NAND产品中使用TLC flash，但这种情况不会永远持续下去。随着时间的推移，技术会发生变化，最终会有人开发出一种新的细胞，使TLC过时。在那之前，我希望3D NAND闪存产品使用TLC闪存。