为什么将NAND闪存直接连接到内存通道?

RAM通常比NAND闪存快得多。它的成本也高得多，扩展性差，而且易变。

RAM每GB的成本往往比与非．内存DIMM DDR4板一般规模不超过64GB;尽管在某些情况下，它可以扩展到128GB。NAND DDR4的容量是256GB的两倍。使RAM非易失性需要电池或超级电容，这增加了内存的巨大成本。根据定义，NAND是非易失的。

正是在成本和规模上的巨大差异，导致NAND闪存被设计成直接运行在内存通道上。请记住，要让NAND在内存通道中运行，需要对bios进行一些小的更改。这些同样的因素推动了其他更快的非易失性存储技术的发展，如3D Xpoint, RRAM，MRAM，忆阻器、ReRAM、NRAM、PCM等。

现在，DDR4的主要好处基于内存的NAND闪存存储是极低延迟的0层存储(不是直接存储)，它比任何其他闪存提供更多的延迟一致性，包括NVMe PCIe flash存储．

基于DDR4 dimm的NAND闪存也严重过度供应，以处理它将不得不忍受的高级别写操作。制造商保证他们的DIMM驱动器超过35驱动器每天写，每天，5年。这意味着256gb的DDR4内存条NAND驱动器每天必须被写入大约8.96 TB，或16.352 PB, 5年才能耗尽。这使得它非常适合高性能计算和其他内存密集型应用程序。

目前，只有Diablo Technologies一家基于内存的NAND闪存供应商，而且只面向原始设备制造商。预计基于内存的flash将开始成为一些服务器厂商的选择。