flash供应商如何缓解今天的阅读干扰

什么是“读干扰”，flash供应商是否在控制器级别采取了任何措施来缓解这个问题?

当在A上使用读方法时，就会发生读干扰NAND细胞导致闪存块内的边界或附近NAND单元上的数据改变。闪存NAND芯片上的所有单元都在同一个芯片上。这意味着在一个块的相邻细胞之间可能存在交叉耦合。细胞读取需要能量通过细胞来确定它的状态。这种能量有可能使相邻细胞的电荷大量流失，从而使该细胞超出阈值。结果是它的状态发生了变化。这个flash问题的有趣之处在于，被读取的单元格并不是发生变化的单元格。处于危险的是read细胞的邻居。未经请求的数据更改从来都不是一件好事。

一般来说，读取干扰在今天并不常见，因为它需要对特定细胞进行大量读取才能发生。通常，引起读干扰所需的读取量以数十万计。闪存供应商对读干扰问题有相当的认识。这种意识促使他们制定了一系列措施来缓解或消除这一问题。

第一种方法是设置自上次擦除周期以来的块读阈值。当达到阈值时，控制器将该块复制到另一个未使用或已擦除的块。块被完全刷新并重置计数器。第二种则更为敏感纠错码(ECC)检测并纠正读干扰错误。如果flash控制器读干扰错误发生前不复制块，错误太多，ECC无法纠正，会造成数据丢失。