TLC flash是否为企业提供了足够的弹性?

这取决于TLC闪存是如何出现的3D NAND闪存驱动器——用于读和写，它有多少是过度供应的，闪存存储控制器的磨损均衡和错误纠正代码(ECC)的最终有效性。

全闪存NAND存储的一个众所周知的秘密是，读是免费的，但写是有成本的。读对闪存磨损有影响，但写则相反闪存严重磨损．这是因为数据写入闪存NANDprogram-erase (P / E)块不能在原地改变。要写入P/E块，必须在写入发生之前没有任何内容写入，或者必须在任何内容写入之前将其擦除。

需要注意的是，闪存驱动器的容量是过度供应的。容量过度配置允许闪存几乎总是有一个可用的P/E块未写或擦除，以便应用程序不必等待P/E块被擦除。它还使闪存能够更换磨损的P/E块或具有不可恢复的比特错误的块，因此额定容量不会丢失。

一般来说，TLC闪存的写磨损寿命比多级单元(MLC)和单级单元(SLC)闪存低得多。

容量过度配置不是flash存储的一部分能力要求．例如，2tb的flash SSD可能存在10%或20%的过度配置。过度配置10%的SSD额定容量为1.92 TB, 20%的SSD额定容量为1.64 TB。

过度供应的数量通常决定闪存的用例．高水平的容量过度配置使闪存适合于频繁的写操作。较低的级别使闪存在读取时更加优化。

所以如何TLC闪存弹性因素在这吗?一般来说，TLC flash的写磨损寿命比TLC flash低得多多层细胞(多层陶瓷)和单级单元(SLC)闪光。TLC的额定P/E周期小于1,000次，MLC的范围从10K到30KSLC通常在100,000次以上。

闪存存储控制器软件，提供了聪明的磨损均衡的所有块加上广泛ECC软件可以将潜在的市盈率周期提高3倍。过度供应的数量也有助于提高市盈率周期。

读优化TLC闪存，宣传为读优化或优先级，是很有可能的企业使用资格．读优化通常意味着写≤10%，读≥90%。这使得TLC闪存适合于大量面向读的企业应用，例如存储系统的第二层，用于被动数据、主动归档、备份和恢复、分析、商业智能、内容分发网络、视频流等。写优化TLC闪存是远远不太可能合格的企业使用，不推荐。